1、完成公司薄膜ALD,PECVD,PVD等設(shè)備的導(dǎo)入和安裝驗收，主導(dǎo)相關(guān)工藝設(shè)定，保證設(shè)備符合研發(fā)、量產(chǎn)需要；2、根據(jù)公司的項目開發(fā)相關(guān)薄膜等工藝，負責(zé)薄膜等工藝研發(fā)、量產(chǎn)；3、優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)品薄膜等工藝，提高器件良率以及穩(wěn)定性；4、負責(zé)薄膜等工藝日常維護和監(jiān)控數(shù)據(jù)分析；5、制定薄膜等工藝方法、操作規(guī)范等工藝標準化文件；6、配合器件工程師完成新產(chǎn)品、新材料導(dǎo)入以及驗證；7、負責(zé)薄膜相關(guān)設(shè)備工藝降本項目；8、負責(zé)新進工程師的薄膜等工藝培訓(xùn)；9、完成部門規(guī)劃的其它器件工藝開發(fā)相關(guān)工作以及設(shè)備維護工作。崗位要求：1、本科及以上學(xué)歷，半導(dǎo)體芯片制造行業(yè)薄膜(CVD/PVD)工藝背景；2、有ALD設(shè)備工藝開發(fā)維護能力優(yōu)先。薪資福利：（1）具有行業(yè)競爭力的薪資福利；（2）多元化帶薪假期；（3）六險一金；（4）團體旅游/拓展、年度體檢；（5）團體活動俱樂部、定期培訓(xùn)；（6）三節(jié)福利禮金。

晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的先鋒廠商，技術(shù)實力處于國際領(lǐng)軍地位。在公司發(fā)展過程中，晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過多項創(chuàng)舉。2014年底，晶湛半導(dǎo)體率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標和卓越的性能，實現(xiàn)了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重要升級。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體成功發(fā)布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國內(nèi)外廣泛關(guān)注。經(jīng)過多年的專注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評。晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項核心技術(shù), 擁有獨立的自主知識產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國內(nèi)外累計申請超900項專利，其中已獲得超200項專利授權(quán)。公司還先后榮獲蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權(quán)十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識產(chǎn)權(quán)高質(zhì)量創(chuàng)造獎、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎、國家高新技術(shù)企業(yè)、蘇州市獨角獸培育企業(yè)、蘇州市企業(yè)工程技術(shù)研究中心等一系列資質(zhì)和榮譽。蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司將一直秉承著“成為世界領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料供應(yīng)商”的愿景，為客戶創(chuàng)造價值。